纳米多孔硅氧化物再次参与电阻存储器的竞赛

电阻式随机存取存储器通过将数据存储为电阻而不是电荷来减小存储单元的尺寸，有望实现新一代计算机存储器。在RRAM中，介电材料被夹在两个电极之间，当施加电压时，离子从其中一个电极中被拉出，形成导电丝，降低电池的电阻。

研究的重点是寻找最佳的电介质材料，并正在追求各种各样的材料，包括纸。

自2010年以来，莱斯大学的詹姆斯·图尔和他的同事一直在研究追求二氧化硅作为RRAM电池的介电材料在他们发现导电灯丝路径可以在材料中形成。现在图尔和他的同事们做到了这是制造氧化硅的又一步这是高密度下一代计算机内存的基础。

莱斯大学的研究小组已经改进了存储单元的生产方法，使其能够在室温下用传统的生产方法制造设备。

公司正在寻求在RRAM中获胜，使用各种材料，例如松下对氧化钽的使用还有人研制出了氧化铪。但图尔和他的同事最近在杂志上发表了一篇论文纳米快报这说明纳米多孔氧化硅比其他技术更优越。

图尔在一份新闻稿中说:“我们的技术是唯一能从生产和性能角度满足所有市场对非易失性存储器的需求的技术。”“它可以在室温下制造，具有极低的成型电压、高开关比、低功耗、每个单元9位容量、卓越的开关速度和出色的循环续航能力。”

图尔得出这一结论之前，莱斯大学研究人员生产的最新版本的氧化硅在许多重要性能参数上超过了以前的版本。莱斯大学的研究小组使用了一种纳米多孔版本的二氧化硅，它将产生导电通道所需的电压降低到不到2伏。这意味着该团队比之前的最好成绩提高了13倍。它使氧化硅重新回到与其他材料竞争的行列。

研究人员还能够消除制造所谓的器件边缘结构的需要。图尔说:“这意味着我们可以拿一块多孔的氧化硅，只需要把电极放下来，而不需要制造边缘。”“当我们在2010年首次宣布关于氧化硅的消息时，我从业界得到的第一个问题是，我们能否在不制造边缘的情况下做到这一点。当时我们做不到，但多孔氧化硅的改变最终让我们做到了。”

改用纳米多孔氧化硅的优势还不止于此。新的多孔版本允许单元格承受100倍于以前版本的写-擦除周期。此外，莱斯团队声称，多孔氧化硅电池的容量最多可容纳9比特，是氧化物存储器中最高的。

研究小组报告说，他们已经收到了对这项技术感兴趣的公司的提议。