闪存是非易失性(NV)存储器每个人都认为被取代的时机已经成熟在移动电子领域。但相反，它仍然保持着惊人的韧性正在进行足够的增量改进多年来保持在该领域的主导地位。
在试图对flash发起商业挑战是相变随机存取存储器(PCRAM或PRAM)。PRAM通过加热存储单元中的材料来工作，该材料在导电晶体相和电阻非晶相之间切换，赋予存储所需的二进制特性。
据韩国科学技术院(KAIST)透露，三星电子已经将512Mb的PRAM器件商用化，但要想在移动电子领域得到广泛应用，其写入电流至少要减少三分之一。现在，这些研究人员声称已经找到了答案朝着实现这一较低功耗迈出了重要一步通过在PRAM中采用一种新型纳米结构。
这种材料，在杂志上有描述ACS Nano(“调制嵌段共聚物纳米结构在相变存储器中的自组装结合以降低开关功率)，采用自组装嵌段共聚物硅纳米结构。嵌段共聚物在这一应用中特别有吸引力，因为它们可以通过相对简单的旋涂和等离子体处理产生具有20 nm以下特征的自有序阵列。
这种新材料的真正好处是，它使所需的书写电流降低了五分之一，相当于降低了5%的功率。
降低PRAM中开关功耗的一种策略是减小PRAM加热层与实际相变材料之间的接触面积。KAIST的研究人员通过在相变材料上加入二氧化硅纳米结构来实现这一目标。
“这是一个很好的例子，说明自组装、自底向上的纳米技术实际上可以提高电子设备的性能，”KAIST的首席研究员之一Keun-Jae Lee在一份新闻稿中说。“我们还通过与传统器件结构和现有光刻工具兼容的简单工艺实现了显著的功耗降低。”
这个功能是否能帮助PRAM与flash竞争还不清楚。但可以想象，韩国科学技术院的邻居三星(Samsung)一定会对这一最新进展感兴趣。
说明:韩科院
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